Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=4 A, 3针, SOT-223, IPN系列

RS 库存编号:: 217-2546
制造商零件编号:: IPN70R1K4P7SATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=4 A, 3针, SOT-223, IPN系列

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RS 库存编号:: 217-2546
制造商零件编号:: IPN70R1K4P7SATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	4A
	最大漏源电压 Vd	700V
	包装类型	SOT-223
	系列	IPN
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.4Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-40°C
	最大功耗 Pd	6.2W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.7nC
	正向电压 Vf	0.9V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最高工作温度	150°C
	长度	6.7mm
	标准/认证	No
	宽度	3.7mm
	高度	1.8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 4A
	最大漏源电压 Vd 700V
	包装类型 SOT-223
	系列 IPN
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.4Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -40°C
	最大功耗 Pd 6.2W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.7nC
	正向电压 Vf 0.9V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最高工作温度 150°C
	长度 6.7mm
	标准/认证 No
	宽度 3.7mm
	高度 1.8mm
	汽车标准否

Datasheet - IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon IPN系列MOSFET,700V最大漏源电压,4A最大连续漏电流 - IPN70R1K4P7SATMA1

这款 MOSFET 是一款高压 N 通道开关设备,专为工业热环境中的表面贴装应用而设计。它旨在控制需要增强模式晶体管的电路中的电源,能够处理高漏源电压和连续电流,同时在宽温度范围内运行。

特性和优点：

• 700V 漏源额定值可实现高压切换
• 4A 连续漏电流支持中等负载电流
• 1.4Ω Rds(on) 可降低负载下的传导损耗
• 6.2W 功耗可实现持久的热负载处理
• 30V 栅极容差提供强大的栅极驱动空间
• 4.7nC 典型栅极电荷可最大限度减少开关能量

应用

• 适用于电源中的高压开关电路
• 适用于表面安装型中等功率电机驱动级
• 用于反激转换器和升压转换器开关元件
• 可用于工业设备的受控负载切换
• 适用于需要宽温度范围运行的电路

它在运行过程中可承受哪些极端温度？

它可在 -40°C 至 150°C 的温度范围内可靠运行。

为了考虑布局需求,有多少连接引脚可供选择?

该设备随附三个电气接线端子,用于 PCB 安装。

表面组装应指定哪种封装类型?

它采用SOT-223封装,适用于表面贴装焊接工艺。

如果一体式二极管导电,典型的正向下降是多少?

当本质二极管导电时,该设备的正向电压为 0.9V。

栅极电荷对开关性能有何影响?

典型栅极电荷为 4.7nC,限制栅极驱动能量并影响开关速度和损耗。