Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 80 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP系列

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RS 库存编号:
217-2566
制造商零件编号:
IPP80N06S207AKSA4
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-220

系列

IPP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.6mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

86nC

最大功耗 Pd

250W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 55V 、 n 通道、 MΩ 最大 6.6 μ m 、汽车 mosfet 、 to-220 、 ??

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rds(on)

100% 雪崩测试