Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 80 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP80N06S209AKSA2, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 218-3071
- 制造商零件编号:
- IPP80N06S209AKSA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥166.90
(不含税)
¥188.60
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年1月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB16.69 | RMB166.90 |
| 20 - 20 | RMB16.19 | RMB161.90 |
| 30 + | RMB15.704 | RMB157.04 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3071
- 制造商零件编号:
- IPP80N06S209AKSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 60nC | |
| 最大功耗 Pd | 190W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 9.45mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 宽度 | 4.57 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60nC | ||
最大功耗 Pd 190W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 9.45mm | ||
长度 10.36mm | ||
宽度 4.57 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 55 v n 通道汽车 mosfet 。此 mosfet 适用于阀门控制、电磁阀控制、照明、单端电动机等
N 通道 - 增强模式
175°C 工作温度
100% 雪崩测试