制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=29 A, 3针, TO-247, CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 217-2587
制造商零件编号:: IPW60R120P7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=29 A, 3针, TO-247, CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:: 217-2587
制造商零件编号:: IPW60R120P7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	29A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	TO-247
	系列	CoolMOS P7
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	120mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	95W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	36nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	宽度	5.21mm
	长度	6.13mm
	高度	41.42mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 29A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 TO-247
	系列 CoolMOS P7
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 120mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 95W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	宽度 5.21mm
	长度 6.13mm
	高度 41.42mm
	汽车标准否

Datasheet - IPW60R120P7XKSA1

the Infineon 600V coolmos ™ P7 超结（ sj ） mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。

≥ 2kV 的 esd 坚固性（ hbm 2 类）

集成栅极电阻器 r g

坚固的体二极管

广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装

提供标准级和工业级部件

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=29 A, 3针, TO-247, CoolMOS P7系列

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