Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 29 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IPW60R120P7XKSA1, CoolMOS P7系列

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制造商零件编号:
IPW60R120P7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

CoolMOS P7

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

120mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

36nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

95W

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

宽度

5.21 mm

高度

41.42mm

长度

6.13mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon 600V coolmos ™ P7 超结( sj ) mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。

≥ 2kV 的 esd 坚固性( hbm 2 类)

集成栅极电阻器 r g

坚固的体二极管

广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装

提供标准级和工业级部件