Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=170 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
217-2629
制造商零件编号:
IRFS3207TRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

170A

最大漏源电压 Vd

75V

系列

HEXFET

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.5mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

260nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

300W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

高度

9.65mm

标准/认证

No

宽度

4.83mm

汽车标准

否

the Infineon 75V 单 n 通道 hex场 功率 mosfet 采用 D2 pak 封装。

改进的浇口雪崩和动态 dv/dt 坚固性

完全定性电容和雪崩 soa

增强的主体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力

无铅

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