Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=73 A, 3针, TO-252, OptiMOS 3系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 15 件）*

RMB134.445

(不含税)

RMB151.92

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2026年12月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
15 - 615RMB8.963RMB134.45
630 - 1230RMB8.694RMB130.41
1245 +RMB8.433RMB126.50

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
218-3038
制造商零件编号:
IPD096N08N3GATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

73A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TO-252

系列

OptiMOS 3

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

9.6mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

100W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

长度

6.73mm

高度

2.41mm

标准/认证

No

宽度

6.22mm

汽车标准

否

Infineon n 通道功率 mosfet 。此 mosfet 特别适用于高频开关应用。

优化技术，用于直流/直流转换器

N 通道，正常电平

通过 100% 雪崩测试

无铅电镀; 符合 RoHS

相关链接