制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=45 A, 3针, TO-252, OptiMOS-TM3系列

RS 库存编号:: 218-3041
制造商零件编号:: IPD135N08N3GATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=45 A, 3针, TO-252, OptiMOS-TM3系列

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RS 库存编号:: 218-3041
制造商零件编号:: IPD135N08N3GATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	45A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	TO-252
	系列	OptiMOS-TM3
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	13.5mΩ
	通道模式	N
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	19nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	79W
	最高工作温度	175°C
	高度	2.41mm
	标准/认证	No
	长度	6.73mm
	宽度	6.22mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 45A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 TO-252
	系列 OptiMOS-TM3
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 13.5mΩ
	通道模式 N
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 79W
	最高工作温度 175°C
	高度 2.41mm
	标准/认证 No
	长度 6.73mm
	宽度 6.22mm
	汽车标准否

Datasheet - IPD135N08N3GATMA1

the Infineon ® 系列 n 沟道功率 mosfet 。在发电（如太阳能微型逆变器）、电源（如服务器和电信）和功耗（如电动车）高效解决方案方面，最佳的产品是市场领导者。

N 通道，正常电平

通过 100% 雪崩测试

无铅电镀

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