Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=120 A, 3针, TO-220, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-4404
制造商零件编号:
IPP023N08N5AKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TO-220

系列

OptiMOS

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

133nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

300W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

15.93mm

高度

4.4mm

长度

10.2mm

汽车标准

否

此 Infineon ® mosfet 特别适用于高频开关和同步整流。它需要的并联较少。

它减少了切换和传导损耗

它具有低电压过冲

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