Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 483 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRF100P218XKMA1, StrongIRFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3093
- 制造商零件编号:
- IRF100P218XKMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 218-3093
- 制造商零件编号:
- IRF100P218XKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 483A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | StrongIRFET | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00128Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 483A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 StrongIRFET | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00128Ω | ||
通道模式 增强 | ||
Infineon 100V N 沟道功率 MOSFET。该 MOSFET 非常适合高频开关应用。
极低导通电阻
优异的栅极电荷与导通电阻乘积（品质因数）
优化反向恢复电荷
175°C 工作温度