Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=150 V, 28 A, DirectFET, 表面安装, 2引脚, IRF6775MTRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3102
- 制造商零件编号:
- IRF6775MTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3102
- 制造商零件编号:
- IRF6775MTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 28A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 56mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 89W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.68mm | |
| 长度 | 4.85mm | |
| 宽度 | 3.95 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 28A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 DirectFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 2 | ||
最大漏源电阻 Rd 56mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 89W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.68mm | ||
长度 4.85mm | ||
宽度 3.95 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 150V 单 n 通道 hex场 功率 mosfet 。此数字音频 mosfet 专门设计用于 d 类音频放大器应用。此 mosfet 利用最新的处理技术实现每个硅区域的低接通电阻。低电感通过减少随快速电流瞬变产生的电压振荡来提高 emi 性能。
最新 mosfet 硅技术
兼容双面冷却
与现有表面安装技术兼容
无铅