Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=-30 V, -160 A, DirectFET, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9332
- 制造商零件编号:
- IRF9383MTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 257-9332
- 制造商零件编号:
- IRF9383MTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -160A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.8mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 67nC | |
| 最大功耗 Pd | 113W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -160A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 DirectFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 67nC | ||
最大功耗 Pd 113W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRF 系列是 -30V 单 p 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用直接 FET mx 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
高额定电流
双侧冷却能力
低封装高度为 0.7mm
低寄生(1 至 2 nH)电感封装
100% 无铅(无 RoHS 豁免)