Infineon N沟道MOSFET, Vds=55 V, Id=62 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-3114
制造商零件编号:
IRFR48ZTRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

62A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

11mΩ

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

60nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

91W

最高工作温度

175°C

宽度

2.39mm

标准/认证

No

长度

6.73mm

高度

6.22mm

汽车标准

否

the Infineon ex场 系列单 n 沟道功率 mosfet 。此 HEXFET® 功率 MOSFET 利用最新工艺技术实现每硅区域极低接通电阻。

超低接通电阻

175°C 工作温度

快速切换

无导线

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