Infineon N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=51 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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RS 库存编号:
218-3119
制造商零件编号:
IRFS52N15DTRLP
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

51A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

32mΩ

最大功耗 Pd

230W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

89nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4.83mm

长度

10.67mm

高度

9.65mm

汽车标准

否

the Infineon irfs 系列单 n 通道 ir mosfet 。此 mosfet 适用于高频直流 - 直流转换器、等离子显示面板等

无铅

显著减少切换损耗

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