Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=950 V, Id=4 A, 3针, TO-252, CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 219-5994
制造商零件编号:: IPD95R2K0P7ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=950 V, Id=4 A, 3针, TO-252, CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:: 219-5994
制造商零件编号:: IPD95R2K0P7ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	4A
	最大漏源电压 Vd	950V
	包装类型	TO-252
	系列	CoolMOS P7
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	10nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	37W
	正向电压 Vf	900mV
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	宽度	6.22mm
	标准/认证	No
	高度	2.41mm
	长度	6.73mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 4A
	最大漏源电压 Vd 950V
	包装类型 TO-252
	系列 CoolMOS P7
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 37W
	正向电压 Vf 900mV
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	宽度 6.22mm
	标准/认证 No
	高度 2.41mm
	长度 6.73mm
	汽车标准否

Datasheet - IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon CoolMOS P7 系列 MOSFET,950V 漏源电压,4A 连续漏电流 - IPD95R2K0P7ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强型晶体管,专为要求严苛的电子系统中的开关和功率转换而设计。它可在宽环境范围内运行,适用于需要紧凑型热敏开关设备的表面安装应用。

特性和优点：

• 950V漏源额定电压，支持高压开关应用
• 2mΩ Rds(on),可在高电流运行过程中最大限度减少传导损耗
• 10nC 栅极电荷可减少驱动能量和与开关相关的损耗
• 4A 连续漏电流可靠地支持中等负载电流
• 37W 最大功耗,可实现显著的散热空间
• 20V 栅极-源能力可适应常见的栅极驱动电压

应用

• 适用于高压电源和转换器
• 适用于开关模式电源主开关
• 与工业电机驱动前端配合使用
• 可用于可再生系统中的能量转换
• 适用于紧凑型表面贴装电源模块

它在运行过程中可耐受哪些极端温度？

它的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在宽散热封装中使用。

它采用什么包装用于 PCB 组装？

它采用 TO-252 表面贴装封装,适用于焊接板安装。

传导时典型的正向传导特性是什么?

该设备在适当条件下在传导过程中具有 0.9V 的正向电压。

它为电路集成提供多少电气连接?

它为标准 MOSFET 端子连接提供三个引脚。