Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=1.5 A, 3针, SOT-223, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 219-5997
- 制造商零件编号:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-5997
- 制造商零件编号:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 450mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 6W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 1.5A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 450mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 6W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.8mm | ||
宽度 3.7mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.7mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolMOS P7系列MOSFET,800V最大漏源电压,1.5A最大连续漏电流 - IPN80R4K5P7ATMA1
这款 MOSFET 是一款高压开关晶体管,专为表面贴装功率转换和控制任务而设计。它能在宽环境范围内可靠运行,适用于需要强大的电压阻断和中等连续电流能力的应用场景。
特性和优点：
• 800V 漏源额定值支持高压应用
• 450mΩ RDS(on)限制了开关过程中的传导损耗
• 4nC 典型栅极电荷可降低驱动能量需求
• 1.5A连续漏极电流支持稳态负载
• 6W 最大功耗可在运行过程中管理热应力
• ±20V 栅极容差允许标准栅极驱动电压
• 450mΩ RDS(on)限制了开关过程中的传导损耗
• 4nC 典型栅极电荷可降低驱动能量需求
• 1.5A连续漏极电流支持稳态负载
• 6W 最大功耗可在运行过程中管理热应力
• ±20V 栅极容差允许标准栅极驱动电压
应用
• 适用于处理高电压的离线电源
• 适用于工业系统中的升压转换器
• 用于中等电流的开关模式功率级
• 可用于需要 800V 的半导体测试装置
• 与紧凑型电源板上的表面安装组件配合使用
• 适用于工业系统中的升压转换器
• 用于中等电流的开关模式功率级
• 可用于需要 800V 的半导体测试装置
• 与紧凑型电源板上的表面安装组件配合使用
它能在什么环境温度范围内运行？
它能在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内运行,适用于恶劣的热环境。
封装对热性能有何影响?
SOT‐223 表面贴装封装提供小尺寸,同时在正确安装时可实现最大 6W 的散热效果。
需要考虑哪些栅极驱动因素?
该设备可在栅极和源之间接受高达 ±20V 的电流,通常需要相当于 4nC 总栅极电荷的驱动能量,以实现快速切换。
其特性最有利于哪种开关拓扑结构?
高电压 N 通道增强操作使其适用于需要 800V 阻断和适度连续电流处理的拓扑结构。
相关链接
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