Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 41 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, IPP65R225C7XKSA1, CoolMOS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
219-6007
制造商零件编号:
IPP65R225C7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

41A

最大漏源电压 Vd

700V

包装类型

TO-220

系列

CoolMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

225mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最大功耗 Pd

63W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

长度

10.36mm

宽度

15.95 mm

高度

4.57mm

标准/认证

No

汽车标准

Infineon CoolMOS C7 超结 MOSFET 系列在技术上迈出了革命性的一步,提供全球最低的 RDS (接通) / 封装,并且由于其低切换损耗,在整个负载范围内效率得到提高。

提高了安全裕度,适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用

最低传导损耗 / 封装

低切换损耗

更好的轻负载效率

提高功率密度