Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=55 V, Id=62 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

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RS 库存编号:
220-7346
制造商零件编号:
AUIRFR48ZTRL
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET和二极管

最大连续漏极电流 Id

62A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-252

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

11mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

40nC

最大功耗 Pd

91W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

6.73mm

长度

6.22mm

高度

2.39mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon AUIRFR48ZTRL 专为汽车应用而设计、此 ex场 效应功率 mosfet 利用最新的处理技术、可实现每个硅面积极低的接通电阻。它可用于汽车应用和各种其他应用。

先进的工艺技术

超低接通电阻

175°C 工作温度

快速切换

重复雪崩允许高达 Tjmax

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