Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=100 V, Id=170 A, 3针, TO-263, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:
220-7379
制造商零件编号:
IPB033N10N5LFATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET & 二极管

最大连续漏极电流 Id

170A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

OptiMOS 5

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

179W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon 是一种革命性的方法、可避免通态电阻（ r ds （ on ））与线性模式功能之间的取舍、即在增强模式 mosfet 的饱和区域内运行。它提供最先进的沟道 mosfet r ds （ on ）以及经典平面 mosfet 的宽安全工作区域。

低 r ds （ on ）和宽安全工作区域的组合 （ soa ）

高最大脉冲电流

高连续脉冲电流

坚固的线性模式操作

低传导损耗

更高的浪涌电流可实现更快的启动和更短的启动 时间

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