Infineon P型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=40 V, 70 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD70P04P4L08ATMA2, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 220-7412
- 制造商零件编号:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7412
- 制造商零件编号:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET & 二极管 | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 70A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 71nC | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 75W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET & 二极管 | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 70A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 71nC | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最大功耗 Pd 75W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.41mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 提供了多种 p 沟道汽车功率 mosfet 、采用 dak 、 D2PAK 、 TO220 、 TO262 和 SO8 封装、技术为： tmosfet - P2 和 Gen5 。
P 通道 - 逻辑电平 - 增强模式
高压侧驱动无需充油泵。
简单的接口驱动电路
全球最低的 rdson 、 40V
最高电流容量
以最低开关和传导功率损耗实现最高热效率