Infineon N型沟道 增强型, Vds=650 V, 78 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚, IPZA60R120P7XKSA1
- RS 库存编号:
- 220-7467
- 制造商零件编号:
- IPZA60R120P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 220-7467
- 制造商零件编号:
- IPZA60R120P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 78A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247-4 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.12Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 78A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247-4 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.12Ω | ||
通道模式 增强 | ||
Infineon 600V Cool MOS P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V Cool MOS P6 系列的升级产品。它在设计过程中持续平衡高能效需求与易用性。Cool MOS 第七代平台具备业界领先的导通电阻与固有低栅极电荷 (Q G)，确保高能效表现。
600V P7 实现了优异的品质因数 RDS(on)xEoss 与 RDS(on)xQG
ESD 鲁棒性 ≥ 2kV（人体放电模型 2 类）
集成栅极电阻 RG
坚固的体二极管
提供丰富的通孔与表面贴装封装产品组合
提供标准级与工业级两种规格选择
优异的品质因数 RDS(on) x QG/RDS(on) x Eoss 可实现更高效率
通过防止 ESD 故障提升制造环境中的易用性
集成 RG 降低 MOSFET 振荡敏感性
MOSFET 适用于硬开关与谐振开关拓扑（如 PFC 和 LLC）
在 LLC 拓扑中体二极管硬换向时展现卓越的鲁棒性
适用于多种终端应用和输出功率
提供适用于消费和工业应用的零部件