Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=100 V, Id=5.4 A, 8针, SO-8, HEXFET系列

RS 库存编号:: 220-7478
制造商零件编号:: IRF7490TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=100 V, Id=5.4 A, 8针, SO-8, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 220-7478
制造商零件编号:: IRF7490TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET和二极管
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	5.4A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	HEXFET
	包装类型	SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	39mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	2.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	37nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	5mm
	高度	1.75mm
	宽度	4mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET和二极管
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 5.4A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 HEXFET
	包装类型 SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 39mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 2.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 5mm
	高度 1.75mm
	宽度 4mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IRF7490TRPBF

为了提高效率、功率密度和成本效益、开发了英飞凌公司的最佳 mos n 通道功率式功率半导体器件。专为高性能应用而设计、并针对高切换频率进行了优化、因此、这些产品具有业内最佳的品质。现在、作为强大的 irfet 的补充、该产品组合提供了一个真正强大的组合。得益于强大的 irfet 功率极高的器件和出色的性价比以及杰出的最佳的技术。两个产品系列都能满足高品质标准和性能要求。该接合产品组合涵盖 12V 至 300V 的电压、可满足从低到高切换频率的各种需求、如开关电源、电池供电应用、电动机控制和驱动器、变频器和计算。

宽 soa 的平面单元结构

针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化

产品资格符合 dec 标准

硅经优化用于切换低于 <100KHz 的应用

工业标准表面安装电源封装

能够进行波焊

Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=100 V, Id=5.4 A, 8针, SO-8, HEXFET系列

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