Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=150 V, 24 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
220-7491
制造商零件编号:
IRFR24N15DTRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET & 二极管

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

HEXFET

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

95mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

140W

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

45nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

6.22mm

标准/认证

Lead-Free

宽度

2.39 mm

长度

6.73mm

汽车标准

Infineon n 沟道功率高的功率为提高效率、功率密度和成本效益而开发。专为高性能应用而设计、并针对高切换频率进行了优化、因此、这些产品具有业内最佳的品质。现在、作为强大的 irfet 的补充、该产品组合提供了一个真正强大的组合。得益于强大的 irfet 功率极高的器件和出色的性价比以及杰出的最佳的技术。两个产品系列都能满足高品质标准和性能要求。该接合产品组合涵盖 12V 至 300V 的电压、可满足从低到高切换频率的各种需求、如开关电源、电池供电应用、电动机控制和驱动器、变频器和计算。

低栅极到漏极电荷可降低

切换损耗

完全定性电容、包括

有效的 coss 以简化设计(请参阅

应用程序注 AN1001 )

完全雪崩电压特征

和电流

无铅