onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 464 A, DFN, 表面安装, 5引脚, NTMFS0D5N系列
- RS 库存编号:
- 221-6723
- 制造商零件编号:
- NTMFS0D5N03CT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1500 件）*
¥13,693.50
(不含税)
¥15,474.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 1,500 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1500 - 6000 | RMB9.129 | RMB13,693.50 |
| 7500 + | RMB8.946 | RMB13,419.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 221-6723
- 制造商零件编号:
- NTMFS0D5N03CT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 464A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | NTMFS0D5N | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.52mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 178nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 高度 | 6.3mm | |
| 长度 | 5.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 464A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 NTMFS0D5N | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.52mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 178nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.1 mm | ||
高度 6.3mm | ||
长度 5.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 30V−464 a 的漏极电流和单 n μ a 的通道。它具有出色的热传导和提高系统效率。
高级 Advanced （高级软件包）（ 5x6mm
超低 rds （接通）、可提高系统效率