onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 337 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NTMFS0D8N03CT1G, NTMFS0D8N系列
- RS 库存编号:
- 221-6728
- 制造商零件编号:
- NTMFS0D8N03CT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥92.00
(不含税)
¥104.00
(含税)
有库存
- 另外 4,490 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 370 | RMB9.20 | RMB92.00 |
| 380 - 740 | RMB9.109 | RMB91.09 |
| 750 + | RMB8.653 | RMB86.53 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 221-6728
- 制造商零件编号:
- NTMFS0D8N03CT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 337A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | NTMFS0D8N | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.15mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 50nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 6.3mm | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 337A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 NTMFS0D8N | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.15mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 50nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 6.3mm | ||
宽度 1.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 30V−了 337 a 的漏极电流和单 n μ a 的沟道。它改进了浪涌电流管理、还提高了系统效率。
高级 Advanced （高级软件包）（ 5x6mm
超低 rds （接通）、可提高系统效率