onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 268 A, DFN, 表面安装, 5引脚, NVMFS5C420NT1G, NVMFS5C系列
- RS 库存编号:
- 221-6756
- 制造商零件编号:
- NVMFS5C420NT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥144.12
(不含税)
¥162.86
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 1,500 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 370 | RMB14.412 | RMB144.12 |
| 380 - 740 | RMB14.269 | RMB142.69 |
| 750 + | RMB13.557 | RMB135.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 221-6756
- 制造商零件编号:
- NVMFS5C420NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 268A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | NVMFS5C | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 82nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 长度 | 6.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 268A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 NVMFS5C | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 82nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.1 mm | ||
高度 5.3mm | ||
长度 6.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 汽车功率 mosfet 采用 5x6mm 扁平引线封装、设计用于紧凑型高效设计、包括高热性能。它可用于增强型光学检验。符合 aec Q101 标准的 mosfet 和 ppap 功能、适用于汽车应用。
低 rds （接通）可有效减少传导
低 qg 和电容、有效减少驱动器