Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 171 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 222-4611
- 制造商零件编号:
- AUIRFP4568
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4611
- 制造商零件编号:
- AUIRFP4568
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 171A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 151nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 517W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 高度 | 5.31mm | |
| 宽度 | 20.7 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 171A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 151nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 517W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.87mm | ||
高度 5.31mm | ||
宽度 20.7 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
hex场 ® 功率 Infineon 设计利用最新的处理技术，可在每个硅片区域实现低接通电阻。此优势结合了 ex场 效应功率式高功率器件闻名的快速开关速度和耐震器件设计、为设计人员提供了一个极其高效和可靠的器件、适用于汽车和各种其他应用。
先进的平面技术
双 n 沟道 mosfet 低接通电阻
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