Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=50 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 222-4665
制造商零件编号:: IPD50N06S4L08ATMA2
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=50 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 222-4665
制造商零件编号:: IPD50N06S4L08ATMA2
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	50A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	TO-252
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	7.8mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	71W
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	49nC
	最大栅源电压 Vgs	16V
	最高工作温度	175°C
	高度	2.3mm
	长度	6.5mm
	宽度	6.22mm
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 50A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 TO-252
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 7.8mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 71W
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC
	最大栅源电压 Vgs 16V
	最高工作温度 175°C
	高度 2.3mm
	长度 6.5mm
	宽度 6.22mm
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPD50N06S4L08ATMA2

Infineon OptiMOS系列MOSFET,60V最大漏源电压,50A最大连续漏电流 - IPD50N06S4L08ATMA2

这款 MOSFET 是一款表面贴装 N 通道增强装置,专为严苛工作条件下的高电流开关而设计。它专为需要稳固传导、适度电压处理以及在汽车和工业环境中典型宽温度范围内运行的应用而设计。

特性和优点：

• 7.8mΩ 的低传导电阻,可降低传导损耗
• 50A 的高连续电流能力,适用于重负载切换
• 60V 漏源额定值,兼容中等电压系统
• 71W 最大功耗,可提升热处理能力
• 典型栅极电荷为 49nC，可实现可预测的开关行为
• 栅极源电压容差高达 16V,可实现灵活的驱动级别

应用

• 适用于汽车配电模块
• 适用于运输系统中的直流-直流转换器
• 用于需要高电流的电机驱动级
• 可用于电池管理和电力转向
• 用于表面安装组件的高功率开关

其能在什么温度范围内运行？

它支持在 -55°C 至 175°C 的温度范围内连续运行。

它采用哪种封装和安装方式？

该组件采用 TO-252 封装,用于表面安装。

它提供多少电气连接?

它提供三个用于栅极、漏极和源极连接的引脚。

传导下的正向电压特性是什么?

该设备在传导过程中具有 1.3V 的正向电压。

它符合哪些汽车认证水平?

它符合AEC-Q101汽车级规格。