Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=50 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 223-8517
- 制造商零件编号:
- IPD50N06S409ATMA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 2500 件）*
RMB9,605.00
(不含税)
RMB10,852.50
(含税)
有库存
- 另外 17,500 件在 2026年10月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB3.842 | RMB9,605.00 |
| 5000 - 7500 | RMB3.765 | RMB9,412.50 |
| 10000 + | RMB3.652 | RMB9,130.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 223-8517
- 制造商零件编号:
- IPD50N06S409ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最大功耗 Pd | 71W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 950mV | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
最大功耗 Pd 71W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 950mV | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS系列MOSFET,60V最大漏源电压,50A最大连续漏电流 - IPD50N06S409ATMA2
这款 MOSFET 是一款表面贴装 N 通道增强装置,专为在需要高电流和中等电压处理的电子系统中控制电源而设计。它能在宽温度范围内运行,适用于严苛的热环境,适用于需要高效开关和电源管理的应用场景。
特性和优点：
• 低导通电阻可减少高电流运行期间的导电损耗
• 高连续排放能力支持持久 50A 电流
• 60 V 漏源额定值支持中电压功率级
• 71W 功耗,可处理高热负载
• 17 nC 典型栅极电荷,可实现相对较快的切换转换
• 20V 栅极容差可适应更高的栅极驱动电压
• 高连续排放能力支持持久 50A 电流
• 60 V 漏源额定值支持中电压功率级
• 71W 功耗,可处理高热负载
• 17 nC 典型栅极电荷,可实现相对较快的切换转换
• 20V 栅极容差可适应更高的栅极驱动电压
应用
• 适用于同步降压转换器开关级
• 适用于工业控制器中的电机驱动器功率级
• 与需要高电流处理的电池管理系统配合使用
• 可用于电信设备的直流-直流电源转换
• 适用于表面安装组件上的配电模块
• 适用于工业控制器中的电机驱动器功率级
• 与需要高电流处理的电池管理系统配合使用
• 可用于电信设备的直流-直流电源转换
• 适用于表面安装组件上的配电模块
该设备允许的栅极驱动范围是多少?
栅极可在栅极和源之间以高达 20 V 的电压驱动,且不超过其栅极电压限制。
热范围对恶劣环境中的部署有何影响?
它可在 -55°C 至 175°C 温度范围内保持运行,因此可在发生极端热环境的宽温度应用中运行。
它使用哪种包装和安装方法进行组装?
它采用 TO-252 封装,专为在组件上进行表面贴装安装而设计。
导通状态下的效率指示哪些传导特性?
最大漏源电阻为 9 mΩ,可在高电流下将压降和传导损耗降至最低。
正向电压对低压功率级有何影响?
0.95V 的正向电压限制了在传导过程中设备的额外电压下降,有助于提高效率。
相关链接
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50N06S409ATMA2, OptiMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS-T2系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS-T系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS-T2系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50N06S2L13ATMA2, OptiMOS系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50N06S4L08ATMA2, OptiMOS系列