Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 13 A, TO-247, 表面安装, 4引脚, IMZ1系列
- RS 库存编号:
- 222-4871P
- 制造商零件编号:
- IMZ120R220M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 222-4871P
- 制造商零件编号:
- IMZ120R220M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | IMZ1 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 220mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 IMZ1 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 220mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon coolsic ™ mosfet mΩ 1200 v ， 220 m ² ， TO247 采用 43-4 封装，采用先进的沟道半导体工艺制造，经过优化，性能与可靠性相结合。与基于硅（ si ）的传统开关（如沟器和 mosfet ）相比、 sic mosfet 具有一系列优势。这些包括 1200 v 开关中可见的最低栅极电荷和设备电容水平、内部防换向主体二极管无反向恢复损耗、不受温度影响的低切换损耗和无阈值通态特性。
同类最佳的开关和传导损耗
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0V 关闭栅极电压、用于轻松简单的栅极驱动
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