ROHM , 2 P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3.5 A, TSMT, 表面安装, 8引脚, QH8JC5TCR

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RS 库存编号:
223-6206
制造商零件编号:
QH8JC5TCR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

3.5A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TSMT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.91Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17.3nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.2V

最大功耗 Pd

1.5W

晶体管配置

最高工作温度

150°C

宽度

2.8mm

标准/认证

No

高度

0.85mm

长度

3.3mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 具有 o-3PF 封装类型。它主要用于切换。

反向恢复时间短 (trr)

低接通电阻

快速切换速度

可简单驱动电路

无铅电镀,符合 RoHS 标准

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