制造商编号

ROHM P型沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=35 A, 3针, TO-252, RD3G03BAT系列

RS 库存编号:: 223-6277P
制造商零件编号:: RD3G03BATTL1
制造商:: ROHM

ROHM P型沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=35 A, 3针, TO-252, RD3G03BAT系列

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RS 库存编号:: 223-6277P
制造商零件编号:: RD3G03BATTL1
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	35A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	RD3G03BAT
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	191mΩ
	通道模式	P
	最大功耗 Pd	56W
	正向电压 Vf	-1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	38nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 35A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 RD3G03BAT
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 191mΩ
	通道模式 P
	最大功耗 Pd 56W
	正向电压 Vf -1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RD3G03BATTL1

ROHM 功率 MOSFET 采用 TO-252 封装类型。它主要用于切换。

低接通电阻

快速切换速度

可简单驱动电路

易于并行使用

无铅电镀，符合 RoHS 标准

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