ROHM P型沟道 P型 MOSFET, Vds=40 V, 8 A, TSMT, 表面安装, 8引脚, RQ7G080ATTCR, RQ7G080AT系列
- RS 库存编号:
- 223-6375
- 制造商零件编号:
- RQ7G080ATTCR
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB11,133.00
(不含税)
RMB12,579.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB3.711 | RMB11,133.00 |
| 6000 - 9000 | RMB3.636 | RMB10,908.00 |
| 12000 + | RMB3.564 | RMB10,692.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 223-6375
- 制造商零件编号:
- RQ7G080ATTCR
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TSMT | |
| 系列 | RQ7G080AT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TSMT | ||
系列 RQ7G080AT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 18mΩ | ||
通道模式 P | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
最大功耗 Pd 1.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 采用 TSMT8 封装类型。它主要用于切换。
低接通电阻
小型表面安装封装
无铅电镀，符合 RoHS 标准