ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 10.3 A, TSMT-8, 表面安装, RQ7G080BG系列
- RS 库存编号:
- 241-2319
- 制造商零件编号:
- RQ7G080BGTCR
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-2319
- 制造商零件编号:
- RQ7G080BGTCR
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TSMT-8 | |
| 系列 | RQ7G080BG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10.3A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TSMT-8 | ||
系列 RQ7G080BG | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.6nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM RF4G100BG 是具有低接通电阻的功率 MOSFET ，适用于开关应用。
低接通电阻
小型表面安装封装 TSMT8
无铅镀层，符合 RoHS 标准