Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=18.7 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

暂时无法供应
抱歉,我们不知道何时会有货
RS 库存编号:
228-2820
制造商零件编号:
Si4090BDY-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

18.7A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

10mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

46.5nC

最大功耗 Pd

7.4W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

1.75mm

汽车标准

否

Vishay TrenchFET N 通道功率 MOSFET 用于直流 / 直流初级侧开关,电信 / 服务器,电动机驱动器控制和同步整流。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

相关链接