Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=45 V, 113 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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228-2898
制造商零件编号:
SiR450DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

113A

最大漏源电压 Vd

45V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.8mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

48W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

75.5nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay TrenchFET N 通道为 45 V MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试