Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=45 V, Id=113 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2899
- 制造商零件编号:
- SiR450DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SiR450DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 113A | |
| 最大漏源电压 Vd | 45V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 75.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 48W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 113A | ||
最大漏源电压 Vd 45V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 75.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 48W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay TrenchFET N 通道为 45 V MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试
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