Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=77.4 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2905
- 制造商零件编号:
- SiR570DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB33,066.00
(不含税)
RMB37,365.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 3,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB11.022 | RMB33,066.00 |
| 15000 + | RMB10.801 | RMB32,403.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2905
- 制造商零件编号:
- SiR570DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 77.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46.9nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 77.4A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46.9nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay TrenchFET N 沟道为 150 V MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试
相关链接
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 77.4 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR570DP-T1-RE3, TrenchFET系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 100 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR680DP-T1-RE3, TrenchFET系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 65 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR668DP-T1-RE3, TrenchFET系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 126 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR510DP-T1-RE3, TrenchFET系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 146 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR580DP-T1-RE3, TrenchFET系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=45 V, 113 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR450DP-T1-RE3, TrenchFET系列
- Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 100 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR680DP-T1-RE3, TrenchFET系列
- Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 65 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR668DP-T1-RE3, TrenchFET系列