Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 185.6 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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228-2933P
制造商零件编号:
SiSS54DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

185.6A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.06mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

47.5nC

最大功耗 Pd

65.7W

最大栅源电压 Vgs

16 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay N 沟道 30-V (D-S) MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试