Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 69.3 A, powerpir 3 x 3S, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SiZ340BDT-T1-GE3

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包装方式：
RS 库存编号:
228-2939P
制造商零件编号:
SiZ340BDT-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

69.3A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

TrenchFET

包装类型

powerpir 3 x 3S

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00856Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.4nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

31W

最高工作温度

150°C

晶体管配置

双

标准/认证

RoHS

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

Vishay 双 N 通道 30 V (D-S) MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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