Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=400 A, 16针, HDSOP, IAUS300N08S5N011T系列

RS 库存编号:: 228-6525
制造商零件编号:: IAUS300N08S5N011TATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=400 A, 16针, HDSOP, IAUS300N08S5N011T系列

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RS 库存编号:: 228-6525
制造商零件编号:: IAUS300N08S5N011TATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	400A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	HDSOP
	系列	IAUS300N08S5N011T
	安装类型	表面
	引脚数目	16
	最大漏源电阻 Rd	1.1mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	375W
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	+175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 400A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 HDSOP
	系列 IAUS300N08S5N011T
	安装类型表面
	引脚数目 16
	最大漏源电阻 Rd 1.1mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 375W
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 +175°C
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet-IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon IAUS300N08S5N011T 系列 MOSFET,80V 最大漏源电压,400A 最大连续漏电流 - IAUS300N08S5N011TATMA1

这款 MOSFET 是一款专为严苛的汽车和工业环境设计的高电流开关设备,采用紧凑型表面贴装封装,提供 N 通道增强模式操作。它旨在控制大排放电流并耐受高温,同时为功率转换和开关应用提供低传导损耗。

特性和优点：

• 400A 连续漏电流提供高电流开关能力
• 1.1mΩ Rds(on),可最大限度减少负载循环期间的传导损耗
• 80V 漏源额定值支持更高电压系统兼容性
• 375W 最大功耗支持重型热负载
• ±20V 栅极容差允许稳固的栅极驱动电压
• -55°C 至 175°C 工作温度范围,确保宽温度可靠性

应用

• 适用于汽车动力传动变频器级别
• 适用于车辆中的高电流直流-直流转换器
• 与电动汽车的牵引电机控制器配套使用
• 可用于工业电机驱动开关
• 用于高功率电池管理和配电

它采用哪种封装类型和安装方式?

它采用 HDSOP 封装,适用于表面贴装,便于紧凑型板布局和热管理。

反向传导应考虑哪些二极管特性?

本质二极管的正向电压为1.2V,可在空转间隔期间提供传导损耗信息。

该设备提供多少电气连接?

该组件提供 16 个引脚,用于支持大电流板设计的栅极、排流和源路由。