Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=350 A, 16针, HDSOP, IAUS300N10S5N015T系列

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包装方式：
RS 库存编号:
228-6531
制造商零件编号:
IAUS300N10S5N015TATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

350A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

HDSOP

系列

IAUS300N10S5N015T

安装类型

表面

引脚数目

16

最大漏源电阻 Rd

1.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

375W

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

+175°C

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Infineon IAUS300N10S5N015T 系列 MOSFET,100V 漏源电压,350A 连续漏电流 - IAUS300N10S5N015TATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流开关晶体管,专为严苛的汽车和电力应用而设计,可在宽温度范围内以 N 通道增强模式提供受控传导。它采用 16 针表面贴装 HDSOP 封装,适用于紧凑型电路组件,符合汽车应力标准,适用于车辆电子产品。

特性和优点：


• 100V 漏电额定值,支持高压切换能力
• 350 A 连续漏电流支持大电流负载
• 1.5mΩ的低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗
• 375W 功耗可实现持久热负载
• ±20 V 栅极容差允许稳固的驱动电压间距
• 工作温度范围为-55°C至+175°C,适用于极端环境

应用


• 适用于汽车动力逆变器级别
• 适用于高电流电机控制模块
• 用于电池管理和配电
• 可用于车辆中的直流-直流转换器
• 适用于电动动力系统辅助电路

哪些封装因素会影响PCB布局?


HDSOP 表面贴装封装需要热铜封装和多个 PCB 通道,以管理高功耗产生的热量。

该设备如何处理瞬态栅极移动?


±20V 的栅极容差定义了最大允许的栅极至源电压,以防止瞬态过载。

在连续运行过程中支持哪种热环境?


在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内指定连续运行,以适应冷启动和升高护罩下温度。

正向电压对二极管导电损耗有何影响?


本质二极管的正向电压为 1.3 V,决定了在反向电流事件中主体二极管导通时的导电降低。

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