Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=27 A, 3针, TO-220, IPP026N10NF2S系列

RS 库存编号:: 228-6544
制造商零件编号:: IPP026N10NF2SAKMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=27 A, 3针, TO-220, IPP026N10NF2S系列

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1000 - 1000	RMB14.823	RMB14,823.00
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RS 库存编号:: 228-6544
制造商零件编号:: IPP026N10NF2SAKMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	27A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	IPP026N10NF2S
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2.6mΩ
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	250W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	103nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	长度	10.36mm
	高度	9.45mm
	宽度	4.57mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 27A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 IPP026N10NF2S
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2.6mΩ
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 250W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 103nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	长度 10.36mm
	高度 9.45mm
	宽度 4.57mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet-IPP026N10NF2SAKMA1

Infineon IPP026N10NF2S 系列 MOSFET,100V 最大漏源电压,27A 最大连续漏电流 - IPP026N10NF2SAKMA1

这款 MOSFET 是一款高功率 N 沟道半导体,专为严苛的热环境中的开关和功率控制任务而设计。它提供强大的连续电流处理能力和高排放源电压额定值,适用于需要稳健传导和开关性能的电路。它采用通孔 TO-220 封装,适用于需要简单安装和散热的应用。

特性和优点：

• 低导通电阻可减少高电流运行期间的导电损耗
• 高漏源电压支持 100 V 开关应用
• 高连续漏电流可实现持久的 27 A 负载
• 高功耗允许 250 W 热吞吐量
• 中等栅极电荷允许在高功率下可管理的驱动能量

应用

• 适用于电源中的高电流开关
• 与工业转换器的分立散热器配套使用
• 适用于需要 27A 电流能力的电机驱动器级别
• 可用于 100 V 直流-直流转换器开关
• 适用于通孔原型设计和维修工作

使用时应遵守哪些栅极电压限制?

该设备不得超过20V的栅极源电压,以避免栅极损坏。

在工作条件下,它能承受的热量范围是多少?

它可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内工作,适用于高温环境。

如何安装封装以实现理想的冷却效果?

通孔 TO-220 规格允许连接到 PCB 上,并将散热器直接安装到插片上,以最大限度地减少功耗。

哪些传导特性会影响开关效率?

该设备的漏源电阻极低,约为 2.6 mΩ,可降低导电过程中的 I^2R 损耗。

栅极电荷如何影响驱动器选择?

典型总栅极电荷为 103 nC,需要一款能够快速提供足够电荷的驱动器,以实现所需的开关速度,同时管理驱动损耗。