Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=121 A, 3针, TO-220, IPP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
260-1060
制造商零件编号:
IPP026N04NF2SAKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

121A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-220

系列

IPP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.6mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

68nC

最大功耗 Pd

150W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.88V

最高工作温度

175°C

长度

15.8mm

高度

4.75mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

宽度

10.67mm

汽车标准

否

Infineon MOSFET 可解决从低到高切换频率的广泛应用,从分配合作伙伴提供广泛的可用性,达到出色的价格和性能比。

高额定电流

工业标准通孔封装

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