Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 121 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP026N04NF2SAKMA1, IPP系列
- RS 库存编号:
- 260-1060
- 制造商零件编号:
- IPP026N04NF2SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB15.47 | RMB30.94 |
| 10 - 98 | RMB13.935 | RMB27.87 |
| 100 - 248 | RMB12.545 | RMB25.09 |
| 250 - 498 | RMB11.255 | RMB22.51 |
| 500 + | RMB10.17 | RMB20.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-1060
- 制造商零件编号:
- IPP026N04NF2SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 121A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | IPP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.88V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 68nC | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 高度 | 4.75mm | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 121A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 IPP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.88V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68nC | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
高度 4.75mm | ||
长度 15.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 可解决从低到高切换频率的广泛应用,从分配合作伙伴提供广泛的可用性,达到出色的价格和性能比。
高额定电流
工业标准通孔封装