onsemi N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=24 A, 3针, TO-220, SUPERFET III系列

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包装方式：
RS 库存编号:
229-6493
制造商零件编号:
NTPF125N65S3H
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-220

系列

SUPERFET III

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

125mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

37W

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

44nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

29.95mm

宽度

4.9mm

标准/认证

No

长度

10.63mm

汽车标准

否

ON Semiconductor−FET 系列是全新高电压超结 MOSFET ，利用电荷平衡技术实现卓越的低接通电阻和更低栅极电荷性能。此 Advanced 技术专为有效减少传导损耗而设计，提供卓越的切换性能，并可耐受极端 dv/dt 速率。

低有效输出电容

通过 100% 雪崩测试

低温运行时系统可靠性更高

无铅−Ω

符合 RoHS

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