onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 241.3 A, H-PSOF, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 229-6503P
- 制造商零件编号:
- NVBLS1D7N08H
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB32.785 |
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| 250 - 498 | RMB31.10 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6503P
- 制造商零件编号:
- NVBLS1D7N08H
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 241.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | H-PSOF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 121nC | |
| 最大功耗 Pd | 237.5W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 13.28mm | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 宽度 | 2.4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 241.3A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 H-PSOF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 121nC | ||
最大功耗 Pd 237.5W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 13.28mm | ||
长度 10.2mm | ||
宽度 2.4 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor 汽车功率 MOSFET 采用收费封装，提供高效设计和高热性能。漏极电流为 241.3 A
有效减少传导损耗
有效减少驱动器损耗
低接通状态电阻