STMicroelectronics 单 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=65 V, B4E, 表面安装, 4引脚, RF2L系列
- RS 库存编号:
- 230-0084
- 制造商零件编号:
- RF2L16180CB4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 120 - 480 | RMB1,546.858 | RMB185,622.96 |
| 600 + | RMB1,515.921 | RMB181,910.52 |
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- RS 库存编号:
- 230-0084
- 制造商零件编号:
- RF2L16180CB4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 65V | |
| 包装类型 | B4E | |
| 系列 | RF2L | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 27.94mm | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 典型功率增益 | 14dB | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 65V | ||
包装类型 B4E | ||
系列 RF2L | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最高工作温度 200°C | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 27.94mm | ||
高度 9.4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
典型功率增益 14dB | ||
STMicroelectronics RF2L16180CB4 是 180 W ， 28 V 内部匹配 LDMOS 晶体管，设计用于多层 WCDMA/PCS/DCS/LTE 基站和频率为 1300 至 1600 MHz 的 ISM 应用。四根引线可配置为单端， 180 度推挽式或 90 度混合或 Doherty ，具有适当的外部匹配网络。
高效率和线性增益操作
集成式防静电装置
内部匹配，易于使用
针对 Doherty 应用进行了优化