onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 273 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NTMTS1D6N10MCTXG, NTMC0系列
- RS 库存编号:
- 230-9094
- 制造商零件编号:
- NTMTS1D6N10MCTXG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB67.79 | RMB135.58 |
| 10 - 98 | RMB65.755 | RMB131.51 |
| 100 - 248 | RMB63.78 | RMB127.56 |
| 250 - 498 | RMB61.86 | RMB123.72 |
| 500 + | RMB60.01 | RMB120.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 230-9094
- 制造商零件编号:
- NTMTS1D6N10MCTXG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 273A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | NTMC0 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 17mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 106nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 291W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 9.42mm | |
| 宽度 | 1.2 mm | |
| 长度 | 8.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 273A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 NTMC0 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 17mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 106nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 291W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 9.42mm | ||
宽度 1.2 mm | ||
长度 8.4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor NTMFS 系列是 N 沟道 MOSFET ，具有 100 V 的漏极至源电压它通常用于同步整流和直流 - 直流转换。
体积小 (8x8 mm) ，用于紧凑型设计
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
全新 Power 88 封装
−器件无铅且符合 RoHS 标准