制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=66 A, 8针, SO-8, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 232-6749
制造商零件编号:: ISC0602NLSATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=66 A, 8针, SO-8, OptiMOS 5系列

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10 - 95	RMB11.184	RMB55.92
100 - 245	RMB10.982	RMB54.91
250 - 495	RMB10.786	RMB53.93
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RS 库存编号:: 232-6749
制造商零件编号:: ISC0602NLSATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	66A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	SO-8
	系列	OptiMOS 5
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	9.5mΩ
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	60W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	22nC
	最高工作温度	175°C
	高度	5.35mm
	长度	6.1mm
	标准/认证	No
	宽度	1.2mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 66A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 SO-8
	系列 OptiMOS 5
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 9.5mΩ
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 60W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC
	最高工作温度 175°C
	高度 5.35mm
	长度 6.1mm
	标准/认证 No
	宽度 1.2mm
	汽车标准否

Datasheet - ISC0602NLSATMA1

Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 80 V 专为 USB-PD 和适配器应用而设计。它采用 SuperSO8 封装，可提供快速上升和优化的交付时间。用于功率输送的 OptiMOS 低压 MOSFET 使设计能够减少部件，从而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用紧凑轻便的封装，提供优质产品。

逻辑级别可用性

极佳的热行为

通过 100% 雪崩测试

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=66 A, 8针, SO-8, OptiMOS 5系列

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