ROHM N型, P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=3.5 A, 8针, TSMT-8, QH8MC5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
235-2674
制造商零件编号:
QH8MC5TCR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型, P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.5A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TSMT-8

系列

QH8MC5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

91mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.5nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.5W

最高工作温度

150°C

长度

3.1mm

宽度

0.85mm

标准/认证

No

高度

2.9mm

汽车标准

否

ROHM 双 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 可支持 60V 耐受电压。它设计用于 24V 输入设备，如工厂自动化设备和安装在基站上的电动机。通过结合最佳 N 沟道 + P 沟道，可减少设计工作量。它还有助于降低设备的功耗。

低接通电阻

小型表面安装封装

无铅引线电镀

符合 RoHS

无卤素

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