Infineon N沟道MOSFET管, Vds=100 V, 192 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 235-4864
- 制造商零件编号:
- ISC027N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | RMB15.355 | RMB76,775.00 |
| 10000 - 10000 | RMB15.048 | RMB75,240.00 |
| 15000 + | RMB14.596 | RMB72,980.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-4864
- 制造商零件编号:
- ISC027N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 192 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 192 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 TDSON | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon OptiMOS ™ 6 工业功率 MOSFET 100V 设计用于电信和服务器电源等高切换频率应用，也是太阳能，电动工具和无人机等其他应用的理想选择。与替代产品相比， Infineon 领先的薄芯片技术实现了显著的性能优势。
降低和降低反向施救电荷
特别适用于高切换频率
高雪崩能量额定值
符合 RoHS
低传导损耗
低切换损耗
环保型
特别适用于高切换频率
高雪崩能量额定值
符合 RoHS
低传导损耗
低切换损耗
环保型